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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Resistencia termal baja ultrabaja de Circuit NCh NexFET Pwr del conductor del motor del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg

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Number modelo :CSD17308Q3

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :SON8

Modo del canal :Aumento

Configuración :Solo

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

CSD17308Q3 :3,9 nC

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :8 V

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MOSFET del MOSFET 30V NCh NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T

Características 1

Optimizado para la impulsión de la puerta 5-V
Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal libre del Pb
RoHS obediente
Halógeno libre
VSON 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros

2 usos

Punto del cuaderno de la carga
Dólar síncrono de la Punto-de-carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo

Descripción 3

Este 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 MOSFET del poder del milímetro VSON NexFETTM del × 3,3 del milímetro se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder y se optimiza para los usos de la impulsión de la puerta 5-V.

Resumen del producto

TA = 25°C		VALOR		UNIDAD
VDS	voltaje de la Dren-a-fuente	30		V
Qg	Total de la carga de la puerta (4,5 V)	3,9		nC
Qgd	Puerta de la carga de la puerta a drenar	0,8		nC
RDS (encendido)	Dren-a-fuente en resistencia	VGS = 3 V	12,5	mΩ
		VGS = 4,5 V	9,4	mΩ
		VGS = 8 V	8,2	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral	1,3		V

Información el ordenar

DISPOSITIVO	QTY	MEDIOS	PAQUETE	NAVE
CSD17308Q3	2500	carrete 13-Inch	HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros	Cinta y carrete

Grados máximos absolutos

TA = 25°C salvo que se indique lo contrario		VALOR	UNIDAD
VDS	voltaje de la Dren-a-fuente	30	V
VGS	voltaje de la Puerta-a-fuente	+10/– 8	V
Identificación	Continuo drene la corriente (Package Limited)	50
	Corriente continua del dren, TC = 25°C	44
	Corriente continua del dren (1)	14
IDM	Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)	167
Paladio	Disipación de poder (1)	2,7	W
Paladio	Disipación de poder, TC = 25°C	28	W
TJ, Tstg	Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento	– 55 a 150	°C
EAS	Energía de la avalancha, sola identificación =36A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso	65	mJ

Resistencia termal baja ultrabaja de Circuit NCh NexFET Pwr del conductor del motor del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de poder de IGBT

Chips CI del amplificador

chips CI electrónicos

Componentes electrónicos

Resistencia termal baja ultrabaja de Circuit NCh NexFET Pwr del conductor del motor del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg

tec driver circuit

motor isuzu 4hg1

isuzu 4hg1 engine specs