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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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MOSFET N-Ch del transistor de poder del Mosfet STP55NF06 60 voltios 55 amperios

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Number modelo :STP55NF06

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :TO-220

Descripción :MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Rds en - resistencia de la Dren-fuente :18 mOhms

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente :2 V

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :10 V

Qg - carga de la puerta :44,5 nC

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 175 C

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MOSFET N-Ch del transistor de poder del Mosfet STP55NF06 60 voltios 55 amperios

Características

Código de orden	VDSS	Máximo del RDS (encendido).	Identificación
STB55NF06	60 V	< 0="">	50 A
STP55NF06			50 A
STP55NF06FP

1. Refiera al soa para el valor actual permisible máximo en el Punto de congelación-tipo debido al valor de Rth

la avalancha 100% probó
Capacidad excepcional de dv/dt

Usos

Uso que cambia

Descripción

Estos MOSFETs del poder se han desarrollado usando el proceso único de STripFET de STMicroelectronics, que se diseña específicamente para minimizar capacitancia de la entrada y la carga de la puerta. Esto hace los dispositivos convenientes para el uso como interruptor primario en los convertidores aislados de gran eficacia avanzados de la C.C. DC para las telecomunicaciones y las aplicaciones informáticas, y los usos con la carga baja de la puerta que conduce requisitos.

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