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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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Number modelo :CSD18504Q5A
Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día
Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado :SON8
Descripción :MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Modo del canal :Aumento
Configuración :Solo
Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C
Polaridad del transistor :Canal N
Canal N :6,6 mOhms
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MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18504Q5A

Características 1

  • Qg y Qgd ultrabajos

  • Resistencia termal baja

  • Avalancha clasificada

  • Nivel de la lógica

  • Galjanoplastia terminal libre del Pb

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

2 usos

  • Conversión de DC-DC

  • Rectificador síncrono lateral secundario

  • Control del motor de acumuladores

Descripción 3

Este 5,3 mΩ, × del HIJO 5 6 milímetros, MOSFET del poder de 40 V NexFETTM se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.

Resumen del producto

TA = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

40

V

Qg

Total de la carga de la puerta (4,5 V)

7,7

nC

Qgd

Puerta-a-dren de la carga de la puerta

2,4

nC

RDS (encendido)

En-resistencia de la Dren-a-fuente

VGS = 4,5 V

7,5

mΩ

VGS =10V

5,3

mΩ

VGS (th)

Voltaje del umbral

1,9

V

Información el ordenar

Dispositivo

Qty

Medios

Paquete

Nave

CSD18504Q5A

2500

carrete 13-Inch

HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

Cinta y carrete

CSD18504Q5AT

250

carrete 7-Inch

Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

40

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

±20

V

Identificación

Corriente continua del dren (paquete limitado)

50

Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C

75

Corriente continua del dren (1)

15

IDM

Corriente pulsada del dren (2)

275

Paladio

Disipación de poder (1)

3,1

W

Disipación de poder, TC = 25°C

77

TJ, Tstg

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

– 55 a 150

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =43A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

92

mJ
Etiquetas de productos:

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