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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Configuración de alto voltaje de NCh PowerTrench del transistor de poder del Mosfet FDT3612 sola

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Number modelo :FDT3612

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :SOT223

Descripción :Soporte SOT-223-4 de la superficie del canal N 100 V 3.7A (TA) 3W (TA)

Peso de unidad :0,003951 onzas

Tipo de producto :MOSFET

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

Configuración :Solo

Modo del canal :Aumento

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MOSFET 100V NCh PowerTrench del transistor de poder del Mosfet FDT3612

Descripción general

Este MOSFET del canal N se ha diseñado específicamente para mejorar la eficacia total de los convertidores de DC/DC usando reguladores síncronos o convencionales de la transferencia PWM.

Estos MOSFETs ofrecen una transferencia más rápida y una carga más baja de la puerta que otros MOSFETs con especificaciones comparables del RDS (ENCENDIDO). El resultado es los diseños de la fuente de un alimentación del MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso en los mismos de alta frecuencia), y de DC/DC con una eficacia total más alta.

Usos

• DC/DCconverter

• Motordriving

Características

3.7A, 100V. RDS (ENCENDIDO) =120MΩ@VGS =10V RDS (ENCENDIDO) =130MΩ@VGS =6V
Fastswitchingspeed
Lowgatecharge (14nCtyp)
Highperformancetrenchtechnologyforextremely RDS bajo (ENCENDIDO)
Poder más elevado y capacidad de dirección actual en un paquete superficial ampliamente utilizado del soporte

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