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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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China Transistor del Mosfet del canal N FDMS86181, conductor Circuit Shielded Gate del motor del Mosfet wholesale

Transistor del Mosfet del canal N FDMS86181, conductor Circuit Shielded Gate del motor del Mosfet

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Number modelo :FDMS86181

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :QFN8

Descripción :Canal N 100 V 44A (TA), 124A (Tc) 2.5W (TA), 125W (Tc) soporte 8-PQFN (5x6) de la superficie

Peso de unidad :0,003175 onzas

Tipo de producto :MOSFET

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

Modo del canal :Aumento

Configuración :Solo

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MOSFET del foso del poder del MOSFET 100V/20V N-Chnl del transistor de poder del Mosfet FDMS86181

Características

Tecnología protegida del MOSFET de la puerta
MaxrDS (encendido) =4.2mΩat VGS =10V, identificación =44A
MaxrDS (encendido) =12mΩat VGS =6V, identificación =22A
AÑADA
el 50%
un Qrr más bajo que otros proveedores del MOSFET baja la transferencia noise/EMI
Diseño de paquete robusto MSL1
El 100% UIL probó
RoHS obediente

Descripción general

Este MOSFET del milivoltio del canal N se produce usando el proceso avanzado del ® de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que incorpora tecnología protegida de la puerta. Este proceso se ha optimizado para minimizar resistencia del en-estado pero para mantener funcionamiento que cambiaba superior con mejor en diodo suave del cuerpo de la clase.

Usos

MOSFET primario de DC-DC
Rectificador síncrono en impulsión del motor de DC-DC y de AC-DC
Solar

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