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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Carga baja rápida de la puerta de la velocidad de transferencia del canal N del transistor de poder del Mosfet de FDPF045N10A 100V

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Number modelo :FDPF045N10A

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :TO-220F

Descripción :Canal N 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) a través del agujero TO-220F-3

Peso de unidad :0,080072 onzas

Tipo de producto :MOSFET

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 175 C

Rds en - resistencia de la Dren-fuente :4,5 mOhms

Identificación - corriente continua del dren :67 A

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MOSFET de PowerTrench del canal N del MOSFET 100V del transistor de poder del Mosfet de FDPF045N10A

Características

RDS (encendido) =3.7mΩ (tipo.) @VGS =10V, identificación =67A
Velocidad que cambia rápida
Carga baja de la puerta, QG = 57 nC (tipo.)
Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (encendido)
Poder más elevado y capacidad de dirección actual
RoHS obediente

Descripción

Este MOSFET del canal N se produce usando el proceso anticipado de PowerTrench® de Fairchild Semiconductor® que se ha adaptado para minimizar la resistencia del en-estado mientras que mantenga el funcionamiento que cambia superior del ing.

Usos

Rectificación síncrona para ATX/la fuente de alimentación del servidor/de las telecomunicaciones
Impulsiones y sistemas de alimentación ininterrumpida del motor
Inversor solar micro