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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Foso obediente del poder del canal del transistor de poder del Mosfet de FDMC6679AZ RoHS -30V P

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Number modelo :FDMC6679AZ

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :DFN-8

Descripción :MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP

Peso de unidad :0,005832 onzas

Tipo de producto :MOSFET

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

Configuración :Solo

Paladio - disipación de poder :41 W

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Foso del poder del P-canal del MOSFET -30V del transistor de poder del Mosfet de FDMC6679AZ

Características

MΩ máximo 10 del rDS (encendido) = en VGS = -10 V, identificación = -11,5 A
Máximo r = mΩ 18 en V = -4,5 V, yo = -8,5 Un DS (en) GS D
Nivel de la protección de HBM ESD de 8 kilovoltios de típico (nota 3)
Gama extendida de VGSS (- 25 V) para los usos de la batería
Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el rDS bajo (encendido)
Poder más elevado y capacidad de dirección actual
La terminación es sin plomo y RoHS obediente

Descripción general

El FDMC6679AZ se ha diseñado para minimizar pérdidas en usos del interruptor de la carga. Los adelantos en tecnologías del silicio y del paquete se han combinado para ofrecer el rDS más bajo (encendido) y la protección del ESD.

Usos

Interruptor de la carga en cuaderno y servidor
Gestión del poder de la batería del cuaderno

Etiquetas de productos:

p channel power mosfet

p enhancement mosfet model

n channel power mosfet

Carro de la investigación 0