Este 1,8 mΩ, MOSFET del poder de 60-V NexFETTM se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder con un HIJO 5 milímetros de × paquete de 6 milímetros.

Resumen del producto

TA = 25°C		VALOR TÍPICO		UNIDAD
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	60		V
Qg	Total de la carga de la puerta (10 V)	41		nC
Qgd	Puerta-a-dren de la carga de la puerta	6,7		nC
RDS (encendido)	Dren-a-fuente en resistencia	VGS = 4,5 V	2,6	mΩ
		VGS =10V	1,8
VGS (th)	Voltaje del umbral	1,9		V

Información del dispositivo

DISPOSITIVO	QTY	MEDIOS	PAQUETE	NAVE
CSD18540Q5B	2500	carrete 13-Inch	HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros	Cinta y carrete
CSD18540Q5BT	250	carrete 7-Inch		Cinta y carrete

Grados máximos absolutos

TA = 25°C		VALOR	UNIDAD
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	60	V
VGS	Voltaje de la Puerta-a-fuente	±20	V
Identificación	Corriente continua del dren (Package Limited)	100
	Corriente continua del dren (Silicon Limited), TC = 25°C	205
	Corriente continua del dren (1)	29
IDM	Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)	400
Paladio	Disipación de poder (1)	3,8	W
Paladio	Disipación de poder, TC = 25°C	188	W
TJ, Tstg	Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento	– 55 a 175	°C
EAS	Energía de la avalancha, sola identificación =80A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso	320	mJ

Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de poder de IGBT

Chips CI del amplificador

chips CI electrónicos

Componentes electrónicos

Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N

rfp70n06 mosfet

snubber circuit for igbt

npn transistor number