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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Conductor Circuit, transistores del Mosfet del poder de CSD25402Q3A 650 milivoltio del Mosfet del poder más elevado

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Number modelo :CSD25402Q3A

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :VDFN8

Descripción :MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON

Modo del canal :Aumento

Configuración :Solo

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 125 C

Th de Vgs - umbral Voltag de la Puerta-fuente :650 milivoltio

Rds en - resistencia de la Dren-fuente :8,9 mOhms

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MOSFET del MOSFET P-CH Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD25402Q3A

Características 1

Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
RDS bajo (encendido)
Pb y halógeno libres
RoHS obediente
HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros

2 usos

Convertidores de DC-DC
Gestión de la batería
Interruptor de la carga
Protección de la batería

Descripción 3

Este – 20-V, MOSFET del poder de NexFETTM de 7,7 mΩ se diseña para minimizar pérdidas en usos de la gestión de la carga de la conversión de poder con un HIJO 3,3 milímetros de × el paquete de 3,3 milímetros que ofrece un funcionamiento termal excelente para el tamaño del dispositivo.

Resumen del producto

TA = 25°C		VALOR TÍPICO		UNIDAD
VDS	voltaje de la Dren-a-fuente	– 20		V
Qg	Total de la carga de la puerta (– 4,5 V)	7,5		nC
Qgd	Puerta de la carga de la puerta a drenar	1,1		nC
RDS (encendido)	Dren-a-fuente en resistencia	VGS = – 1,8 V	74	mΩ
		VGS = – 2,5 V	13,3	mΩ
		VGS = – 4,5 V	7,7	mΩ
Vth	Voltaje del umbral	– 0,9		V

Información el ordenar (1)

DISPOSITIVO	QTY	MEDIOS	PAQUETE	NAVE
CSD25402Q3A	2500	carrete 13-Inch	HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros	Cinta y carrete
CSD25402Q3AT	250	carrete 7-Inch	HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros	Cinta y carrete

Grados máximos absolutos

TA = 25°C		VALOR	UNIDAD
VDS	voltaje de la Dren-a-fuente	– 20	V
VGS	voltaje de la Puerta-a-fuente	+12 o – 12	V
Identificación	Corriente continua del dren, TC = 25°C	– 76
	Corriente continua del dren (límite del paquete)	– 35
	Corriente continua del dren (1)	– 15
IDM	Corriente pulsada del dren (2)	– 148
Paladio	Disipación de poder (1)	2,8	W
Paladio	Disipación de poder, TC = 25°C	69	W
TJ	Temperatura de empalme de funcionamiento	– 55 a 150	°C
Tstg	Temperatura de almacenamiento	– 55 a 150	°C