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MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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China MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A wholesale

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MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A

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Number modelo :CSD18534Q5A

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :VSONP8

Descripción :MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON

Modo del canal :Aumento

Configuración :Solo

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

Empaquetado :Corte la cinta

Marca :Texas Instruments

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MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD18534Q5A

Características 1

Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Nivel de la lógica
Galjanoplastia terminal libre del Pb
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

2 usos

Conversión de DC-DC
Rectificador síncrono lateral secundario
Interruptor lateral primario aislado del convertidor
Control de motor

Descripción 3

Este 7,8 mΩ, 60 V, MOSFET del poder del milímetro NexFETTM del × 6 del HIJO 5 se diseñan para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.

Resumen del producto

TA = 25°C		VALOR TÍPICO		UNIDAD
VDS	voltaje de la Dren-a-fuente	60		V
Qg	Total de la carga de la puerta (10 V)	17		nC
Qgd	Puerta-a-dren de la carga de la puerta	3,5		nC
RDS (encendido)	en-resistencia de la Dren-a-fuente	VGS = 4,5 V	9,9	mΩ
RDS (encendido)	en-resistencia de la Dren-a-fuente	VGS =10V	7,8	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral	1,9		V

Información el ordenar

DISPOSITIVO	QTY	MEDIOS	PAQUETE	NAVE
CSD18534Q5A	2500	carrete 13-Inch	HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros	Cinta y carrete
CSD18534Q5AT	250	carrete 7-Inch	HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros	Cinta y carrete

Grados máximos absolutos

TA = 25°C		VALOR	UNIDAD
VDS	voltaje de la Dren-a-fuente	60	V
VGS	voltaje de la Puerta-a-fuente	±20	V
Identificación	Corriente continua del dren (paquete limitado)	50
	Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C	69
	Corriente continua del dren, TA = 25°C (1)	13
IDM	Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)	229
Paladio	Disipación de poder (1)	3,1	W
Paladio	Disipación de poder, TC = 25°C	77	W
TJ, Tstg	Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento	– 55 a 150	°C
EAS	Energía de la avalancha, sola identificación =40A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso	80	mJ

Etiquetas de productos:

mosfet number

power mosfet datasheet

p ch mosfet

Carro de la investigación 0

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