Bloque de poder síncrono de NexFET del dólar del Mosfet IC del canal N de CSD87335Q3D 30 V 8-LSON-CLIP -55 a 150

Bloque de poder síncrono de NexFET del dólar del MOSFET 30-V del transistor de poder del Mosfet de CSD87335Q3D 8-LSON-CLIP -55 a 150

Características 1

• Bloque de poder del semipuente

• Hasta 27-V VIN

• 93,5% eficacia de sistema en 15 A

• Hasta la operación 25-A

• Operación de alta frecuencia (hasta 1,5 megaciclos)

• HIJO de alta densidad 3,3 milímetros de × huella de 3,3 milímetros

• Optimizado para la impulsión de la puerta 5-V

• Pérdidas de la Bajo-transferencia

• Paquete ultrabajo de la inductancia

• RoHS obediente

• Halógeno libre

• Galjanoplastia terminal sin plomo

2 usos

• Buck Converters síncrono

  • – Usos de alta frecuencia

  • – De gran intensidad, usos del ciclo del Bajo-deber

• Buck Converters síncrono polifásico

• Convertidores del POLÍTICO DC-DC

• Usos de IMVP, de VRM, y de VRD

El bloque de poder de CSD87335Q3D NexFETTM es un diseño optimizado para la capacidad de gran intensidad, de gran eficacia, y de alta frecuencia síncrona del ofrecimiento de los usos del dólar en un pequeño × de 3,3 milímetros esquema de 3,3 milímetros. Optimizado para los usos de la impulsión de la puerta 5-V, este producto ofrece una solución flexible capaz de ofrecer una fuente de alimentación de alta densidad cuando está emparejado con cualquier impulsión de la puerta 5-V de un regulador o de un conductor externo.

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