• prefijo 2V para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC−Q101 calificó y PPAP capaz (2V7002L)

• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente

GRADOS MÁXIMOS

Grado	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje de Drain−Source	VDSS	60	VDC
Voltaje de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW)	VDGR	60	VDC
Drene actual − continuo TC = 25°C (− de la nota 1) continuo TC = 100°C (− de la nota 1) pulsado (nota 2)	Identificación IDENTIFICACIÓN IDM	± 800 del ± 75 del ± 115	mAdc
Voltaje de Gate−Source − continuo − Non−repetitive (ms del ≤ 50 del tp)	VGS VGSM	± 40 del ± 20	VDC Vpk

CARACTERÍSTICAS TERMALES

Característica	Símbolo	Máximo	Unidad
Tablero total de la disipación FR−5 del dispositivo (nota 3) TA = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C Resistencia termal, Junction−to−Ambient	Paladio RqJA	225 1,8 556	mW mW/°C °C/W
Disipación total del dispositivo (El substrato del alúmina de la nota 4), TA = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C Resistencia termal, Junction−to−Ambient	Paladio RqJA	300 2,4 417	mW mW/°C °C/W
Temperatura del empalme y de almacenamiento	TJ, Tstg	− 55 a +150	°C

Transistor del Mosfet del canal N 2N7002LT1G, 115mA Mos Field Effect Transistor

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de poder de IGBT

Chips CI del amplificador

chips CI electrónicos

Componentes electrónicos

Transistor del Mosfet del canal N 2N7002LT1G, 115mA Mos Field Effect Transistor

p-channel mosfet sot-23

n channel mosfet transistor

2sc5200 equivalent transistor