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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G

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China MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G wholesale
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MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G
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Number modelo :BSC046N10NS3G
Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día
Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado :QFN8
Descripción :MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Configuración :Solo
Paladio - disipación de poder :156 W
Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C
Modo del canal :Aumento
Qg - carga de la puerta :63 nC
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MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G

Características

• Carga baja misma de la puerta para los usos de alta frecuencia

• Optimizado para la conversión de DC-DC

• Canal N, nivel normal
• Producto excelente de la carga x R DS de la puerta (encendido) (FOM)

• En-resistencia baja misma R DS (encendido)

• temperatura de funcionamiento de 150 °C
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente
• Calificado según JEDEC1) para el uso de la blanco • Halógeno-libre según IEC61249-2-21

Etiquetas de productos:

transistor 2sc1946a

mosfet stw20nm50fd

mosfet 2n7000
Carro de la investigación 0

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