Disparador de NAND Schmitt de la entrada del patio 2 de los componentes de la electrónica de HEF4093B

Disparador de NAND Schmitt de la entrada del patio 2 de los componentes de la electrónica de HEF4093B

1. Descripción general

El HEF4093B es una puerta de NAND de la dos-entrada del patio. Cada entrada tiene un circuito de disparador de Schmitt. La puerta cambia en diversos puntos para las señales positivo-que van y negativo-que van. La diferencia entre el voltaje positivo (VT+) y el voltaje negativo ( del VT) se define como voltaje de la histéresis (VH). Actúa sobre una gama recomendada de la fuente de alimentación de VDD de 3 V a 15 V referidos al VSS (generalmente de tierra). Las entradas inusitadas se deben conectar con VDD, el VSS, u otra entrada.

2. Características y ventajas

Discriminación de la entrada de disparador de Schmitt

Operación completamente estática

5 V, 10 V, y 15 grados paramétricos de V

Simétrico estandardizada hizo salir características

Especificado de -40°C al °C +85 y de -40°C a +125°C

Cumple con JEDEC JESD estándar 13-B

3. Usos

Talladoras de la onda y de pulso

Multivibradores Astable

Multivibradores monoestables

4. Información el ordenar

Información el ordenar del cuadro 1. que todos los tipos actúan desde -40°C a +125°C

5. Diagrama funcional

6. Fijación de la información

6,1 fijación

6,2 descripción del Pin

Descripción del Pin del cuadro 2.

Símbolo Pin Descripción

1A a 4A 1, 5, 8, 12 entrada

1B a 4B 2, 6, 9, 13 entrada

1Y a 4Y 3, 4, 10, 11 salida

VDD 14 voltaje de fuente

VSS 7 tierra (0 V)

7. Descripción funcional

Tabla de función del cuadro 3.

Entrada Salida

nA NOTA nY

L L H

L H H

H L H

H H L

8. Valores límites

Valores límites del cuadro 4.

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134). Los voltajes se refieren a VSS = 0 V (tierra).

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Máximo Unidad

VDD voltaje de fuente -0,5 +18 V

IK entrada que afianza la corriente con abrazadera VI <> VDD + 0,5 V - ± 10 mA

VI voltaje de entrada -0,5 VDD + 0,5 V

IOK salida que afianza la corriente con abrazadera VO <> VDD + 0,5 V - ±10 mA

II/O entrada-salida actual - ±10 mA

IDD fuente actual - 50 mA

Tstg temperatura de almacenamiento -65 +150 °C

Tamb temperatura ambiente -40 +125 °C

Ptot disipación de poder total °C de Tamb= -40 al °C +125

DIP14 [1] - 750 mW

SO14 [2] - 500 mW

P disipación de poder por salida - 100 mW

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