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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Transistor de alto voltaje MMBT5551 del amplificador de fines generales del silicio NPN

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Number modelo :MMBT5551

Cantidad de orden mínima :10 PC

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de la fuente :1kk/months

Plazo de expedición :1-7 días

Detalles de empaquetado :Cartón

Descripción :Transistores bipolares - BJT SOT23, NPN, 0.6A, 160V, HighVolt

TIPO :Transistores bipolares - BJT

Nombre :transistores

Número de parte :MMBT5551

Paquete :SOT-23-3

Pequeña orden :Recepción

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2N5551 / 硅 del 高压晶体管 NPN del 通用放大器 MMBT5550LT1 de MMBT5551 NPN

SOT-23 - Transistor de poder y DarliCM GROUPons

Número de parte

BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551

Características eléctricas

Mfr. #	MMBT5551
Montaje de estilo	SMD/SMT
Polaridad del transistor	NPN
Configuración	Solo
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo	160 V
Voltaje bajo VCBO del colector	180 V
Voltaje bajo VEBO del emisor	6 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor	0,2 V
Corriente de colector máxima de DC	0,6 A
Paladio - disipación de poder	325 mW
Producto pie del ancho de banda del aumento	300 megaciclos
Temperatura de funcionamiento mínima	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo	+ 150 C
Colector de DC/minuto bajo del hfe del aumento	80 en 10 mA, 5 V
HFE del aumento actual de DC máximo	250 en 10 mA, 5 V
Tipo de producto	BJTs - transistores bipolares

Características eléctricas (en TA =°C 25 salvo especificación de lo contrario)