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St de los reguladores de voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS54620RGYR que cambia 4.5-17Vin 6A Synch abajo de SWIFT Cnvtr
Características 1
Carril partido del poder: 1,6 V a 17 V en PVIN
200-kHz a la frecuencia que cambia 1.6-MHz
Sincroniza al reloj externo
0,8 temperaturas excesivas de la referencia del voltaje de V el ±1%
Corriente quieta del cierre bajo de 2 μA
Arranque monotónico en las salidas de Prebiased
– 40°C a la gama de temperaturas de empalme del funcionamiento 150°C
Comienzo y secuencia de poder lentos ajustables
Buen monitor de la salida del poder para el Undervoltage y la sobretensión
Cierre entrado ajustable del Undervoltage
Para la documentación de SWIFTTM, visita
http://www.ti.com/swift
Cree crean para requisitos particulares usando el TPS54620 con el diseñador del poder de WEBENCH
2 usos
Sistemas eléctricos distribuidos de alta densidad
Punto del alto rendimiento de la regulación de la carga
Descripción 3
El TPS54620 en 3,50 paquete termalmente aumentado del milímetro QFN del × 3,50 del milímetro es un 17-V completamente equipado, 6-A, el convertidor síncrono, descender que se optimiza para los pequeños diseños con eficacia alta y la integración del alto-lado y de los MOSFETs del bajo-lado. Ahorros de espacio más futuros son alcanzados con el control actual del modo, que reduce cuenta componente, y seleccionando una alta frecuencia que cambia, reduciendo la huella del inductor.
La rampa de lanzamiento del voltaje de salida es controlada por el perno de SS/TR que permite la operación como fuente de alimentación independiente o en situaciones de seguimiento. La secuencia de poder es también posible por correctamente el configuración permitir y pernos del poder del abierto-dren los buenos.
la limitación actual del Ciclo-por-ciclo en el FET del alto-lado protege el dispositivo en situaciones de la sobrecarga y es aumentada por un límite actual de la compra de componentes del bajo-lado que prevenga fugitivo actual. Hay también un bajo-lado que hunde el límite actual que da vuelta del MOSFET del bajo-lado para prevenir la corriente reversa excesiva. El cierre termal inhabilita la pieza cuando muere la temperatura excede temperatura termal del cierre.