Conductor lateral bajo IC del MOSFET del poder del pico de UCC27324DR Electronic IC Chips Dual 4A

UCC27324DR

Conductores de alta velocidad del Poder-MOSFET del Bajo-lado del pico dual 4-A

CARACTERÍSTICAS

• Pin-Hacia fuera del estándar industrial

• Alta capacidad de la Actual-impulsión de ±4 A en Miller Plateau Region

• Compra de componentes Constante-actual eficiente incluso en los voltajes de fuente bajos

• Independiente compatible de las entradas de TTL/CMOS del voltaje de fuente

• 20 veces típicas de la subida típica del ns 15 de caída del ns y con la carga 1.8-nF

• Tiempos típicos del Propagación-retraso de 25 ns con caer entrada y 35 ns con el levantamiento entrado

• 4.5-V al voltaje de fuente 15-V

• Corriente de la fuente de 0,3 mA

• Las salidas duales se son paralelo a para una corriente de impulsión más alta

• Disponible en paquete termalmente aumentado de MSOP PowerPAD™ con

4,7 θJC de °C/W

•Clasificado – de 40°C a +125°C

DESCRIPCIÓN

La familia UCC37323/4/5 de conductores duales de alta velocidad del MOSFET entrega corrientes máximas grandes en cargas capacitivas. Se ofrecen tres opciones estándar de la lógica — dual-inversión, dual-noninverting, y uno conductores de inversión y one-noninverting. 8 el paquete termalmente aumentado de PowerPAD MSOP del perno (DGN) baja drástico la resistencia termal para mejorar confiabilidad a largo plazo. UCC3732x también se ofrece en los paquetes estándar de SOIC-8 (d) o de PDIP-8 (p).

Usando un diseño que intrínsecamente minimice el lanzamiento a través de corriente, estos conductores entregan 4-A de la corriente donde se necesita más en la región de la meseta de Miller durante la transición de la transferencia del MOSFET. Una etapa híbrida bipolar y del MOSFET única de la salida paralelamente también permite compra de componentes actual eficiente y el hundimiento en los voltajes de fuente bajos.

LISTA COMÚN