Canal P original Mosfet IRLML6402TRPBF / circuito integrado IC Canal P
Descripción:
Estos MOSFET de canal P de International Rectifier utilizan
Técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja
por área de silicio. Este beneficio, combinado con el rápido
velocidad de conmutación y diseño de dispositivo resistente que
los MOSFET de potencia son bien conocidos por proporcionar al diseñador
un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en baterías y
gestión de carga.
Se ha incorporado un marco de derivación de almohadilla grande mejorado térmicamente
en el paquete estándar SOT-23 para producir un poder
MOSFET con la huella más pequeña de la industria. Este paquete,
, es ideal para aplicaciones donde se imprime
El espacio de la placa de circuito es muy importante. El perfil bajo (<1.1 mm)
de lo que le permite encajar fácilmente en aplicaciones extremadamente delgadas
entornos como la electrónica portátil y las tarjetas PCMCIA.
La resistencia térmica y la disipación de potencia son las mejores.
disponible.
Característica:
Ultra baja resistencia
MOSFET de canal P
Huella SOT-23
Perfil bajo (<1.1 mm)
Disponible en cinta y carrete
Cambio rápido
| Parámetro | Max. | Unidades |
| ID @ TC = 25 ° C | Intensidad Drenador Continua, VGS @ 10V | 50 | UNA |
| ID @ TC = 100 ° C | Intensidad Drenador Continua, VGS @ 10V | 35 | |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada | 200 | |
| PD @TC = 25 ° C | Disipación de potencia | 300 | W |
| Factor de reducción lineal | 2,0 | W / ° C |
| VGS | Voltaje de puerta a fuente | ± 20 | V |
| EAS | Energía de avalancha de pulso único | 560 | mJ |
| IAR | Corriente de avalancha | 50 | UNA |
| OÍDO | Energía repetitiva de avalanchas | 30 | mJ |
| dv / dt | Recuperación máxima de diodos dv / dt | 10 | V / ns |
| TJ TSTG | Unión operativa y rango de temperatura de almacenamiento | -55 a +175 | ° C |
| Temperatura de soldadura, por 10 segundos | 300 (1,6 mm de la caja) | |
| Par de montaje, 6-32 o M3 srew | 10 lbf • in (1.1N • m) | |
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