Transistor 2SD822/D822/circuito integrado IC
CARACTERÍSTICAS
Disipación de poder
GRADOS MÁXIMOS (TA=25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidades |
| VCBO |
Voltaje de la Colector-base |
40 |
V |
| VCEO |
Voltaje del Colector-emisor |
30 |
V |
| VEBO |
Voltaje de la Emisor-base |
6 |
V |
| IC |
Corriente de colector - continua |
3 |
A |
| Paladio |
Disipación de poder del colector |
1,25 |
W |
| TJ |
Temperatura de empalme |
150 |
°C |
| Tstg |
Temperatura de almacenamiento |
-55-150 |
°C |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tamb=25°C salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro |
Símbolo |
Condiciones de prueba |
MINUTO |
TIPO |
Max |
UNIDAD |
| voltaje de avería de la Colector-base |
V (BR) CBO |
IC = 100μA, IE=0 |
40 |
|
|
V |
| voltaje de avería del Colector-emisor |
(BR) CEO V |
IC = 10mA, IB=0 |
30 |
|
|
V |
| voltaje de avería de la Emisor-base |
V (BR) EBO |
IE= 100μA, IC=0 |
5 |
|
|
V |
| Corriente de atajo de colector |
ICBO |
VCB= 40 V, IE=0 |
|
|
1 |
μA |
| Corriente de atajo de colector |
ICEO |
VCE= 30 V, IB=0 |
|
|
10 |
μA |
| Corriente del atajo del emisor |
IEBO |
VEB= 6 V, IC=0 |
|
|
1 |
μA |
| Aumento actual de DC |
hFE |
VCE= 2 V, IC= 1A |
60 |
|
400 |
|
| voltaje de saturación del Colector-emisor |
VCE (sentado) |
IC= 2A, IB= 0,2 A |
|
|
0,5 |
V |
| Voltaje de saturación del emisor de base |
VBE (sentado) |
IC= 2A, IB= 0,2 A |
|
|
1,5 |
V |
| Frecuencia de la transición |
pie |
VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
|
90 |
|
Megaciclo |
CLASIFICACIÓN del hFE
| Fila |
R |
O |
Y |
GR |
| Gama |
60-120 |
100-200 |
160-320 |
200-400 |
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