MEMS VOA se basa en un sistema microelectromecánico. Dentro del MEMS VOA, un microprocesador de MEMS con un espejo inclinable en el silicio se asienta y el alambre se enlaza a los pernos. Un voltaje aplicado a la poder del microprocesador de MEMS hace el espejo girar, que cambia el acoplamiento de la luz entre la fibra de la entrada y la fibra de la salida, así la cantidad deseada de la atenuación. MEMS VOA alcanza la atenuación óptica altamente repetible sobre C o banda L. Da a VOA de Unifiber una ventaja en el WDM, VMUX/DEMUX, EDFA y usos ópticos de la protección de la red.
Características:
Pérdida de inserción baja y PDL bajo
Bajo consumo de energía
Diseño bajo del &Compact de WDL
Insensible para chocar y vibración
Altas confiabilidad y estabilidad
Uso:
Control e igualación de poder en sistema multi del canal
control de la Aumento-inclinación en EDFAS
Protección del receptor
Transferencia con./desc. del canal
Especificación
| Parámetro |
Especificación |
Unidad |
Nota |
|
Gama de longitud de onda
|
1064 |
nanómetro |
|
| 1310 |
nanómetro |
Banda de O |
| 1530~1570 |
nanómetro |
Banda de C |
| 1570~1610 |
nanómetro |
Banda L |
| Tipo de la atenuación |
Brillante u oscuro |
- |
|
| Gama de la atenuación |
≥30 |
DB |
Para el solo modo |
| Atenuación del estado de bloqueo) |
≥40 |
DB |
Tipo oscuro |
| Pérdida de inserción |
≤0.7 |
DB |
Para el solo modo |
| Resolución de la atenuación |
Continuo |
- |
|
| Pérdida dependiente de la longitud de onda |
≤0.3 |
DB |
@<0 dB="" Att="">
|
| ≤1.5 0,8 típico |
DB |
@<20 dB="" Att="">
|
| Pérdida dependiente de la polarización |
0,1 |
DB |
@<0 dB="" Att="">
|
| 0,5 |
DB |
@<20 dB="" Att="">
|
| Pérdida dependiente de la temperatura |
≤0.7 |
DB |
@<0 dB="" Att="">
|
| ≤1.0 |
DB |
@<20 dB="" Att="">
|
| Pérdida de vuelta |
≥45 |
DB |
Para el solo modo |
| Tiempo de Respnse |
≤2 |
ms |
poder 10-90%optical |
| El dar óptico del poder |
500 |
mW |
|
| Conducción de voltaje |
6,5 o 15 |
V |
|
| Consumo de energía |
≤2 |
mW |
|
| Temperatura de la operación |
0~70 |
℃ |
|
| Temperatura de almacenamiento |
-40~85 |
℃ |
|
Notas: 1. especificado sin los conectores. 2. añada una pérdida adicional 0.2dB por el conector.
