Wuhan CS Tec Co.,Ltd

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20W 30W pulsó la fuente de laser de JPT Mopa M1 para el semiconductor

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Ciudad:wuhan
País/Región:china
Persona de contacto:MrsHe
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20W 30W pulsó la fuente de laser de JPT Mopa M1 para el semiconductor

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Number modelo :M1+ 20/30W
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T
Nombre de producto :laser pulsado de la fibra
Marca del laser :JPT
Después de servicio de garantía :Ayuda, mantenimiento de campo y servicio de reparación en línea
Ubicación del servicio local :Ninguno
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Introducción de productos

JPT M1 + los lasers pulsados serie de la fibra hacen uso de la configuración del amplificador de potencia del oscilador patrón (MOPA), y muestran el funcionamiento del laser así como el nivel excelentes del pulso temporal que forman controlabilidad. Con respecto a la tecnología que cambia del q, la anchura de la frecuencia (PALANCA) y de pulso de la repetición de pulso se puede controlar independientemente en la configuración de MOPA, con el ajuste de diversa combinación del parámetro antedicho, el poder máximo del laser se puede mantener bien, y permite el laser de JPT conveniente para más tratamiento de materiales qué Q-interruptor limitado.

 

Uso del producto

* proceso de la superficie de metal, pelando la capa

* usos de la industria del semiconductor y de electrónica

* efecto de marcado excelente sobre el plástico o el otro material sensible

* marca negra del alúmina

* marca de color en el acero inoxidable

 

Especificación de producto

Unidad del parámetro Parámetro

Modelo del producto

YDFLP-20-M1+-S YDFLP-30-M1+-S
M2  <1>
Longitud de cable de la entrega 2 m

Salida media nominal   Poder

>20 W >30 W
Energía de pulso máxima 0,5 mJ

Tarifa de la repetición de los plenos poderes   Gama

40-2000 kilociclos 60-2000 kilociclos

Repetición Rate Range del pulso

1-2000 kilociclos

Duración del pulso

6-250 ns

Poder medio de largo plazo   Estabilidad

 <5>

Cámara de enfriamiento

Aire refrescado

Voltaje de DC de la fuente (VDC)

24 V
Consumo actual  <8 A="">  <10a>

Consumo de los plenos poderes

120W 140W

Longitud de onda central de la emisión

1064 nanómetro

emisión 3dB   Bandwidth@3dB

 <15 nm="">
Polarización Al azar
Protección de los antireflejos
Diámetro del haz de la salida 7±0.5 milímetro
Gama de adaptación de potencia de salida 0-100%
Temperatura de la operación °C 0~40
Temperatura de almacenamiento -10-60 °C

N.G.

8 KILOGRAMOS
Tamaño (LxWxH) 315x220x99 milímetro

 

 

Carro de la investigación 0