Módulo 1330nm/1270nm LC a una cara BIDI LOS 20KM del interruptor SFP+ 10G SFP de Ethernet
DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
Denuncia de los módulos de SFP+10G con IEEE 802.3ae 10GBASE-LR, interfaz eléctrico obediente a las especificaciones SFF-8431 para el módulo aumentado “SFP+” de SFP de 8,5 y 10 gigabites, transmisor de 1330nm DFB, fotodetector del PIN, conector del LC, interfaz de dos hilos para las especificaciones de la gestión obedientes con diagnóstico digital de SFF 8472, obediente con el estándar de diagnóstico de SFF8472 Digitaces (DDM)
El interfaz eléctrico del módulo de SFP+ es obediente a las especificaciones eléctricas de SFI. La entrada del transmisor y la impedancia de salida del receptor es 100 ohmios de diferencial. Las líneas de datos están internamente CA juntadas. El módulo proporciona la terminación diferenciada y reduce diferencial a la conversión de modo común para la terminación de la señal de la calidad y la EMI baja. SFI actúa típicamente más de 200 milímetros del material mejorado FR4 o hasta sobre 150mmof FR4 estándar con un conector.
Usos
Canal de la fibra
Interruptor para cambiar el interfaz
Usos cambiados de la placa madre
Interfaz del router/del servidor
Otros sistemas de transmisión ópticos
CARACTERÍSTICAS DE PRODUCTO
huella Caliente-enchufable de SFP+
10G bidireccional sobre fibra del solo modo del solo filamento
Tasas de bits de Gb/s de las ayudas 9,95 a 10,5
Disipación de poder <1W
Gama de temperaturas 0°C de la extensión a 70°C
Sola fuente de alimentación 3.3V
Longitud de vínculo máxima de los 20km
DFB sin enfriar
Receptor que limita el interfaz eléctrico
Conector a una cara del LC
Espec.
| Parámetro | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | Referencia. |
| Transmisor |
| La salida opta. Poder | PO | -6 | | 1 | dBm | |
| Ratio de la supresión del Lado-modo | SMSR | 30 | | | DB | |
| Anchura espectral del RMS (- 20dB) | σ | | | 1 | nanómetro | |
| Ratio óptico de la extinción | ER | 3,5 | 4,5 | | DB | |
| Inquietud de Tx (SONET) 20KHZ-80MHZ | Txj1 | | | 0,3 | UI | 3 |
| Inquietud de Tx (SONET) 4MHZ-80MHZ | TXj2 | | | 0,1 | UI | 3 |
| Pena de la trayectoria en 800ps/nm@9.95Gb /s | | | | 2 | DB | |
| Ruido relativo de la intensidad | RIN | | | -128 | dB/Hz | |
| Longitud de onda de centro | λc | 1320 | 1330 | 1340 | nanómetro | |
| Receptor |
| Sensibilidad @10.3 Gb/s de RX | SENS | | | -14 | dBm | 1,2 |
| Sobrecarga del receptor | | -1 | | | dBm | |
| Longitud de onda de centro óptica | λC | 1260 | 1270 | 1280 | nanómetro | |
| El LOS De-afirma | LOSD | | | -17 | dBm | |
| El LOS afirma | LOSA | -30 | | | dBm | |
| Histéresis del LOS | | 0,5 | 2 | 6 | DB | |
Notas:
1. Medido con las señales de la conformidad definidas en el Rev. FC-PI-2 10,0 especificaciones.
2. Medido con PRBS 231-1 en 10-12 AZUFAIFAS.
3. problema 4. de GR-253-CORE.
4. Con energía de entrada óptica en el receptor entre -1 ~ -11dBm
Especificaciones
| Parámetro | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Notas |
| Voltaje de fuente máximo | Vcc3 | -0,5 | - | 4,0 | V | |
| Temperatura de almacenamiento | TS | -40 | - | 85 | °C | |
| Humedad de funcionamiento | - | 5 | - | 95 | % | |
| Voltaje de fuente máximo | Vcc3 | -0,5 | - | 4,0 | V | |
| Parámetro | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Notas |
| Voltaje de fuente de alimentación | Vcc | 3,13 | 3,30 | 3,47 | V | |
| Corriente de la fuente de alimentación | Icc | - | - | 300 | mA | |
| Temperatura de funcionamiento del caso | Top | 0 | - | 70 | °C | |
| Tarifa de datos | - | - | 10,3125 | - | Gb/s | |
| 9/125um G652 SMF | Lmax | - | - | 20 | Kilómetro | |
