Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Quanyuantong

Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
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BSS138 BSS138LT1G J1 SOT23 a través del transistor 200MA 50V del Mosfet del agujero

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Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Quanyuantong
Ciudad:shenzhen
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BSS138 BSS138LT1G J1 SOT23 a través del transistor 200MA 50V del Mosfet del agujero

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Lugar del origen :LOS E.E.U.U.
Number modelo :BSS138LT1G
Capacidad de la fuente :859000PCS/Day
Detalles de empaquetado :Caja/carrete/tubo
Cantidad de orden mínima :10
Plazo de expedición :1-7 días
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal, orden del comercio de Alibaba
Tipo del paquete :En el agujero
Marca :MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo del montaje :soporte superficial
Paquete/caso :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo del FET :Canal N
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :50V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :200mA (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :3.5Ohm @ 200mA, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1.5V @ 1mA
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :50pF @ 25V
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :5v
Vgs (máximo) :±20V
Tipo :Transistor del efecto de campo
Paquete :SOT-23
Envío cerca :DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ HK fijan
Embalaje :Tube&Reel&Tray
Puerto :HK/SHENZHEN
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Detalle del producto

Empaquetado Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 50V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 200mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 1mA
Vgs (máximo) ±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 50pF @ 25V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 225mW (TA)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)

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