Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	13A (TA), 50A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	7mOhm @ 20A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1800pF @ 20V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	2.3W (TA), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252, (D-Pak)
Paquete/caso	TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Detalle del producto

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