Empaquetado	Tubo
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	55V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	110A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	8 mOhm @ 62A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	146nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	3247pF @ 25V
Disipación de poder (máxima)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB

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