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Empaquetado | Corte la cinta (los CT) |
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Situación de la parte | Activo |
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 60V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 115mA (TA) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 7,5 ohmios @ 500mA, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.5V @ 250µA |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 50pF @ 25V |
Disipación de poder (máxima) | 200mW (TA) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 (TO-236AB) |
Paquete/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Número de parte bajo | 2N7002 |
1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de fabricación.
2. Orden de la muestra.
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4. Después de enviar, seguiremos los productos para usted una vez cada dos días, hasta que usted consiga los productos.
5. Cuando usted consiguió las mercancías, la prueba ellas, y nos da una reacción. Cualquier problema sobre el producto, pls nos entra en contacto con, lo solucionaremos y cubriremos sus necesidades.
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