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Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.

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Transistor del MOSFET del poder del canal N del transistor SPP20N60C3 TO-220 20A 650V del transistor 20N60COSFET IC 20N60C3

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Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
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China Transistor del MOSFET del poder del canal N del transistor SPP20N60C3 TO-220 20A 650V del transistor 20N60COSFET IC 20N60C3 wholesale
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Transistor del MOSFET del poder del canal N del transistor SPP20N60C3 TO-220 20A 650V del transistor 20N60COSFET IC 20N60C3
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Lugar del origen :LOS E.E.U.U.
Number modelo :SPP20N60C3
Tipo del paquete :En el agujero
Tipo :Transistor del triodo
Empaquetado :Tubo
Situación sin plomo/situación de RoHS :Sin plomo/RoHS obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) :1 (ilimitado)
Método del envío :DHL/UPS/Fedex/etc
Capacidad de la fuente :859000PCS/Day
Detalles de empaquetado :Caja/carrete/tubo
Puerto :Shenzhen/Hong-Kong/Guangzhou
Cantidad de orden mínima :10
Plazo de expedición :1-7 días
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal, orden del comercio de Alibaba
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Detalle del producto

FabricanteInfineon Technologies
SerieCoolMOS™
EmpaquetadoTubo
Situación de la parteNo para los nuevos diseños
Tipo del FETCanal N
TecnologíaMOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C20.7A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs190mOhm @ 13.1A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @3.9V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs114nC @ 10V
Vgs (máximo)±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds2400pF @ 25V
Disipación de poder (máxima)208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipoA través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedorPG-TO220-3-1
Paquete/casoTO-220-3

Etiquetas de productos:

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