Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Quanyuantong

Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
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Pulverice el componente electrónico IC del convertidor de la eficacia alta DC-DC del canal N del transistor TPCA8016-H TPCA8016H QFN8 60V 25A 1 del Mosfet

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Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Quanyuantong
Ciudad:shenzhen
Persona de contacto:MrsYolanda
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Pulverice el componente electrónico IC del convertidor de la eficacia alta DC-DC del canal N del transistor TPCA8016-H TPCA8016H QFN8 60V 25A 1 del Mosfet

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Lugar del origen :LOS E.E.U.U.
Number modelo :TPCA8016-H
Tipo del paquete :QFN8
Tipo :Transistor del efecto de campo
Paquete/caso :QFN8
Situación sin plomo/situación de RoHS :Sin plomo/RoHS obediente
Método del envío :DHL/UPS/Fedex/etc
PAGO :Aceptable
Común :En stock
Capacidad de la fuente :859000PCS/Day
Detalles de empaquetado :Caja/carrete/tubo
Puerto :Shenzhen/Hong-Kong/Guangzhou
Cantidad de orden mínima :10
Plazo de expedición :1-7 días
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal, orden del comercio de Alibaba
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Descripción de producto
EmpaquetadoDigi-carrete
Situación de la parteObsoleto
Tipo del FETCanal N
TecnologíaMOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C25A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs21 mOhm @ 13A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @2.3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (máximo)±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds1375pF @ 10V
Disipación de poder (máxima)1.6W (TA), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Montaje del tipoSoporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedorAvance 8-SOP (5x5)
Paquete/caso8-PowerVDFN
Característica:
Usos de gran eficacia del convertidor de DC/DC
• Pequeña huella debido al paquete pequeño y fino
• Transferencia de alta velocidad
• Pequeña carga de la puerta: Qsw = 6,6 nC (tipo.)
• Dren-fuente baja EN resistencia: MΩ 16 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.)
• Alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 40 S (tipo.)
• Corriente baja de la salida: IDSS = µA 10 (máximo) (VDS = 60 V)
• Modo del aumento: Vth = 1,1 a 2,3 V (VDS = 10 V, identificaciones = 1 mA)

Yonlanda

Skype: qyt-yolanda1

Correo electrónico: yonlandasong (en) quanyuantong.net

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