Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Configuración conducida	Semipuente
Tipo de canal	Independiente
Número de conductores	2
Tipo de la puerta	IGBT, MOSFET del canal N
Voltaje - fuente	10V ~ 20V
Voltaje de la lógica - VIL, VIH	0.8V, 2.5V
Actual - salida máxima (fuente, fregadero)	1.9A, 2.3A
Tipo entrado	No-inversión
Alto voltaje lateral - máximo (tirante)	600V
Tiempo de la subida/caída (tipo)	40ns, 20ns
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Número de parte bajo	IRS2181SPBF

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Medio conductor IC IRS2181STR IRS2181STRPBF del puente de SOP8 IRS2181

Máscara de polvo FFP2

Máscara de polvo KN95

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Circuito integrado del semiconductor

Transistor del Mosfet de N

Módulos de poder de IGBT

Termómetro infrarrojo del cuerpo

Visera protectora

Vestidos médicos disponibles

Traje protector disponible

Desinfectante inmediato de la mano

Guantes protectores disponibles

Cubierta principal disponible

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Gafas de seguridad médicas

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