Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Quanyuantong

Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
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6 Años
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IC FM24W256-G substituye IC nuevo del componente electrónico de los circuitos integrados de la memoria FRAM IC SOP8 256k de EEPROM y original

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Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Quanyuantong
Ciudad:shenzhen
Persona de contacto:MrsYolanda
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IC FM24W256-G substituye IC nuevo del componente electrónico de los circuitos integrados de la memoria FRAM IC SOP8 256k de EEPROM y original

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PAQUETE :SOP8
Number modelo :FM24W256-G
Lugar del origen :LOS E.E.U.U.
Marca :IC FRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo del montaje :soporte superficial
Voltaje - fuente :2.7V ~ 5.5V
Paquete/caso :SOP8
Situación sin plomo/situación de RoHS :Sin plomo/RoHS obediente
Método del envío :DHL/UPS/Fedex/etc
PAGO :Aceptable
Común :En stock
Capacidad de la fuente :859000PCS/Day
Detalles de empaquetado :Caja/carrete/tubo
Puerto :Shenzhen/Hong-Kong/Guangzhou
Cantidad de orden mínima :10
Plazo de expedición :1-7 días
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal, orden del comercio de Alibaba
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256-Kbit (serial del × de 32 K 8) (I2C) F-RAM

Descripción de producto
El FM24W256 es una memoria permanente 256-Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o
F-RAM es permanente y se realiza lee y escribe similar a RAM. Proporciona la retención confiable de los datos durante 151 años mientras que elimina
las complejidades, los gastos indirectos, y los problemas a nivel sistema de la confiabilidad causados por EEPROM y otras memorias permanentes.
A diferencia de EEPROM, el FM24W256 se realiza para escribir operaciones a la velocidad del autobús. Ningún escriba los retrasos se contraen. Los datos se escriben al arsenal de la memoria
inmediatamente después de cada byte se transfiere con éxito al dispositivo. El ciclo siguiente del autobús puede comenzar sin la necesidad de la interrogación de los datos.
Además, el producto ofrece sustancial escribe la resistencia comparada con otras memorias permanentes. También, F-RAM exhibe un poder mucho más bajo
durante escribe que EEPROM escriben desde entonces operaciones no requieren un voltaje de fuente de alimentación internamente elevado para escriben los circuitos. El FM24W256
es capaz de apoyar 1014 ciclos de lectura/grabación, o escribe 100 millones de veces más ciclos que las capacidades de EEPROM.These hacen el ideal FM24W256
para los usos de la memoria permanente, el requerir frecuente o rápido escribe. Los ejemplos se extienden de la registración de datos, de donde puede el número escribe ciclos
sea crítico, a exigir los controles industriales donde el largos escriben la época de EEPROM pueden causar pérdida de datos. La combinación de características permite más
escritura frecuente de los datos con menos gastos indirectos para el sistema. El FM24W256 proporciona ventajas sustanciales a los usuarios del serial (I2C) EEPROM como hardware
reemplazo de la reunión informal.

Características:
Montaje de estilo: SMD/SMT
Paquete/caso: SOIC-8
Tamaño de la memoria: kbit 256
Tipo de interfaz: de dos hilos
Organización: 32 k x 8
Voltaje de fuente - minuto: 2,7 V
Voltaje de fuente - máximo: 5,5 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Temperatura de funcionamiento máximo: + 85 C
Serie: FM24W256-G
Empaquetado: Tubo
Voltaje de fuente de funcionamiento: 3,3 V
Tipo de producto: FRAM
Subcategoría: Almacenamiento de la memoria y de datos
Peso de unidad: 0,019048 onzas

Yonlanda

Skype: qyt-yolanda1

Correo electrónico: yonlandasong (en) quanyuantong.net

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