Empaquetado	Tubo
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	900V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	39A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	220 mOhm @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	390nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	9200pF @ 25V
Disipación de poder (máxima)	694W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte del chasis
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-227B

1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de fabricación.

2. Orden de la muestra.

3. Le contestaremos para su investigación en 24 horas.

4. Después de enviar, seguiremos los productos para usted una vez cada dos días, hasta que usted consiga los productos.

5. Cuando usted consiguió las mercancías, la prueba ellas, y me da una reacción. Si usted tiene cualquier problema sobre el producto, éntrenos en contacto con, nosotros solucionará para usted.

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