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hoja gruesa C19400 de 0.2m m para el marco de la ventaja del microprocesador del semiconductor
Las características notables del material son: conductividad de alta resistencia, alta, alta precisión y alta resistencia de la temperatura de ablandamiento, así como propiedades que sueldan de proceso convenientes de las propiedades y del electrochapado.
Se utiliza principalmente para la producción de bastidor de la ventaja del microprocesador del semiconductor, circuito integrado y los dispositivos discretos electrónicos, los conectores de la industria electrónica, etc.
Estándar:
| GB/T | Estruendo | EN | ASTM | JIS |
| QFe2.5 |
CuFe2P 2,1310 |
CuFe2P CW107C |
C19400 | C19400 |
Composición química:
| Cu | Bal. |
| FE | 2.1-2.6 |
| Zn | 0.05-0.2 |
| P | 0.015-0.15 |
Propiedad física:
| Densidad (g/cm3) | 8,9 |
| Conductividad el IACS% {(20℃)} | 60min |
| Módulo de la elasticidad (KN/mm2) | 121 |
| Conductividad termal {con (m*K)} | 280 |
|
Coeficiente de extensión termal (10-6/℃ 20/℃ ~100/℃) |
17,7 |
| Situación | Resistencia a la tensión | Fuerza de producción | Alargamiento A50 | Dureza | Prueba de flexión | |
| el 90°(R/T) | ||||||
| (Rm, MPa) | (Rp0.2, MPa) | (%) | (Alto voltaje) | GW | BW | |
| R300 | 300-340 | 240max | 20min | 80-100 | 0 | 0 |
| R340 | 340-390 | 240min | 10min | 100-120 | 0 | 0 |
| R370 | 370-430 | 330min | 6min | 120-140 | 0 | 0 |
| R420 | 420-480 | 380min | 3min | 130-150 | 0,5 | 0,5 |
| R470 | 470-530 | 440min | 4min | 140-160 | 0,5 | 0,5 |
| R530 | 530-570 | 470min | 5min | 150-170 | 1 |
1 |
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