Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin

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MOSFET del poder del silicio del canal N 0.35W 0.22A de BSS138K

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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MsMarissa Wang
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MOSFET del poder del silicio del canal N 0.35W 0.22A de BSS138K

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Número de modelo :BSS138K
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :3000pcs
Condiciones de pago :T/T, MoneyGram
Capacidad de la fuente :1 mil millones pedazos del mes
Plazo de expedición :4-5weeks
Detalles de empaquetado :3000pcs/carrete
Tipo :Canal N de BSS138K
material :Silicio
Paquete :SOT-23
Voltaje de la Dren-fuente :50V
Corriente continua del dren :0.22A
Disipación de poder :0.35W
MPQ :3000pcs
Características :Rugoso y confiable
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MOSFET del poder del modo del aumento del canal N de BSS138K
 

 

 
CARACTERÍSTICAS
 

1. VDS = 50V, identificación = grado de 0.22A RDS (ENCENDIDO < 3="">     ) ESD: HBM 2300V
2. poder más elevado y capacidad que da actual
3. se adquiere el producto sin plomo
4. paquete superficial del soporte
 
 
 
Grados máximos absolutos (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
 
Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDS 50 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGS ±20 V
Drene Actual-continuo Identificación 0,22
Dren Actual-pulsado (nota 1) IDM 0,88
Disipación de poder máxima Paladio 0,35 W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento TJ, TSTG -55 a 150
 
 
 
Características eléctricas (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
 
Parámetro Símbolo Condición Minuto Tipo Máximo Unidad
De características
Voltaje de avería de la Dren-fuente BVDSS IDENTIFICACIÓN =250ΜA DE VGS =0V 50 65 - V
Corriente cero del dren del voltaje de la puerta IDSS VDS =50V, VGS =0V - - 1 μA
Corriente de la salida del Puerta-cuerpo IGSS VGS =±10V, VDS =0V - ±110 ±500 nA
VGS =±12V, VDS =0V - ±0.3 ±10 UA
En las características (nota 3)
Voltaje del umbral de la puerta VGS (th) VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250ΜA 0,6 1,1 1,6 V
Resistencia del En-estado de la Dren-fuente RDS (ENCENDIDO) VGS =5V, IDENTIFICACIÓN =0.2A - 1,3 3
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A - 1 2
Transconductancia delantera gFS VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.2A 0,2 - - S
Características dinámicas (Note4)
Capacitancia entrada Clss VDS =25V, VGS =0V, F=1.0MHz - 30 - PF
Capacitancia de salida Coss - 15 - PF
Capacitancia reversa de la transferencia Crss - 6 - PF
Características que cambian (nota 4)
Tiempo de retraso de abertura TD (encendido) VDD =30V, IDENTIFICACIÓN =0.22A VGS =10V, RGEN =6Ω - - 5 nS
Tiempo de subida de abertura tr - - 5 nS
Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado TD (apagado) - - 60 nS
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado tf - - 35 nS
Carga total de la puerta Qg VDS =25V, IDENTIFICACIÓN =0.2A,
VGS =10V
- - 2,4 nC
Características de diodo de la Dren-fuente
Voltaje delantero del diodo (nota 3) VSD VGS =0V, ES =0.22A - - 1,3 V
Actual delantero del diodo (nota 2) ES   - - 0,22
 
Notas:
1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficial montado en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
4. garantizado por diseño, no conforme a la producción
 
 
 
Carro de la investigación 0