MOSFET del poder del modo del aumento del canal N de BSS138K
CARACTERÍSTICAS
1. VDS = 50V, identificación = grado de 0.22A RDS (ENCENDIDO < 3="">
) ESD: HBM 2300V
2. poder más elevado y capacidad que da actual
3. se adquiere el producto sin plomo
4. paquete superficial del soporte
Grados máximos absolutos (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro |
Símbolo |
Límite |
Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente |
VDS |
50 |
V |
| Voltaje de la Puerta-fuente |
VGS |
±20 |
V |
| Drene Actual-continuo |
Identificación |
0,22 |
|
| Dren Actual-pulsado (nota 1) |
IDM |
0,88 |
|
| Disipación de poder máxima |
Paladio |
0,35 |
W |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
TJ, TSTG |
-55 a 150 |
℃ |
Características eléctricas (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro |
Símbolo |
Condición |
Minuto |
Tipo |
Máximo |
Unidad |
| De características |
| Voltaje de avería de la Dren-fuente |
BVDSS |
IDENTIFICACIÓN =250ΜA DE VGS =0V |
50 |
65 |
- |
V |
| Corriente cero del dren del voltaje de la puerta |
IDSS |
VDS =50V, VGS =0V |
- |
- |
1 |
μA |
| Corriente de la salida del Puerta-cuerpo |
IGSS |
VGS =±10V, VDS =0V |
- |
±110 |
±500 |
nA |
| VGS =±12V, VDS =0V |
- |
±0.3 |
±10 |
UA |
| En las características (nota 3) |
| Voltaje del umbral de la puerta |
VGS (th) |
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250ΜA |
0,6 |
1,1 |
1,6 |
V |
| Resistencia del En-estado de la Dren-fuente |
RDS (ENCENDIDO) |
VGS =5V, IDENTIFICACIÓN =0.2A |
- |
1,3 |
3 |
Ω |
| VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A |
- |
1 |
2 |
Ω |
| Transconductancia delantera |
gFS |
VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.2A |
0,2 |
- |
- |
S |
| Características dinámicas (Note4) |
| Capacitancia entrada |
Clss |
VDS =25V, VGS =0V, F=1.0MHz |
- |
30 |
- |
PF |
| Capacitancia de salida |
Coss |
- |
15 |
- |
PF |
| Capacitancia reversa de la transferencia |
Crss |
- |
6 |
- |
PF |
| Características que cambian (nota 4) |
| Tiempo de retraso de abertura |
TD (encendido) |
VDD =30V, IDENTIFICACIÓN =0.22A VGS =10V, RGEN =6Ω |
- |
- |
5 |
nS |
| Tiempo de subida de abertura |
tr |
- |
- |
5 |
nS |
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado |
TD (apagado) |
- |
- |
60 |
nS |
| Tiempo de caída de la vuelta-Apagado |
tf |
- |
- |
35 |
nS |
| Carga total de la puerta |
Qg |
VDS =25V, IDENTIFICACIÓN =0.2A,
VGS =10V |
- |
- |
2,4 |
nC |
| Características de diodo de la Dren-fuente |
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) |
VSD |
VGS =0V, ES =0.22A |
- |
- |
1,3 |
V |
| Actual delantero del diodo (nota 2) |
ES |
|
- |
- |
0,22 |
|
Notas:
1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficial montado en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
4. garantizado por diseño, no conforme a la producción
