SOT-23 Plástico-encapsulan los MOSFETS
BSS138 MOSFET del canal N 50-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
1. Diseño de alta densidad de la célula para extremadamente - el RDS bajo (encendido)
2.Rugged y Relaible
interfaz del Lógica-nivel 1.Direct: TTL/CMOS
2.Drivers: Retransmisiones, solenoides, lámparas, martillos, exhibición, memorias, transistores, etc.
3. sistemas con pilas
4. Retransmisiones de estado sólido
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente |
VDS |
50 |
V |
| Voltaje continuo de la Puerta-fuente |
VGSS |
±20 |
| Corriente continua del dren |
Identificación |
0,22 |
|
| Disipación de poder |
Paladio |
0,35 |
W |
| Resistencia termal del empalme a ambiente |
RθJA |
357 |
℃/W |
| Temperatura de funcionamiento |
Tj |
150 |
℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
Tstg |
-55 ~+150 |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (℃ Ta=25 salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro |
Símbolo |
Condición de prueba |
Minuto |
Tipo |
Máximo |
Unidades |
| De características |
| voltaje de avería de la Dren-fuente |
V (BR) DSS |
VGS = 0V, IDENTIFICACIÓN =250µA |
50 |
|
|
V |
| salida del Puerta-cuerpo |
IGSS |
VDS =0V, VGS =±20V |
|
|
±100 |
nA |
| Corriente cero del dren del voltaje de la puerta |
IDSS |
VDS =50V, VGS =0V |
|
|
0,5 |
µA |
| VDS =30V, VGS =0V |
|
|
100 |
nA |
| En características |
| voltaje del Puerta-umbral (nota 1) |
VGS (th) |
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =1MA |
0,80 |
|
1,50 |
V |
| En-resistencia estática de la dren-fuente (nota 1) |
RDS (encendido) |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A |
|
|
3,50 |
Ω |
| VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =0.22A |
|
|
6 |
| Transconductancia delantera (nota 1) |
gFS |
VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A |
0,12 |
|
|
S |
| Características dinámicas (nota 2) |
| Capacitancia entrada |
CISS |
VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz |
|
27 |
|
PF |
| Capacitancia de salida |
Coss |
|
13 |
|
| Capacitancia reversa de la transferencia |
Crss |
|
6 |
|
| Características que cambian |
| Tiempo de retraso de abertura (nota 1,2) |
TD (encendido) |
VDD =30V, VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.29A, RGEN =6Ω |
|
|
5 |
ns |
| Tiempo de subida (nota 1,2) |
tr |
|
|
18 |
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado (nota 1,2) |
TD (apagado) |
|
|
36 |
| Tiempo de caída (nota 1,2) |
tf |
|
|
14 |
| características de diodo del cuerpo de la Dren-fuente |
| Voltaje delantero del diodo del cuerpo (nota 1) |
VSD |
ES =0.44A, VGS = 0V |
|
|
1,4 |
V |
Notas:
1. prueba del pulso; Anchura de pulso ≤300µs, ciclo de trabajo el ≤2%.
2. Estos parámetros no tienen ninguna manera de verificar.
