SOT-23 Plástico-encapsulan los MOSFETS
Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N BC3400
CARACTERÍSTICAS
Alto diseño denso de la célula para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)
En-resistencia excepcional y capacidad actual máxima de DC
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente |
VDS |
30 |
V |
| Voltaje de la Puerta-fuente |
VGS |
±12 |
V |
| Corriente continua del dren |
Identificación |
5,8 |
|
| Dren Actual-pulsado (nota 1) |
IDM |
30 |
|
| Disipación de poder |
Paladio |
350 |
mW |
| Resistencia termal del empalme a ambiente (nota 2) |
RθJA |
357 |
℃/W |
| Temperatura de empalme |
TJ |
150 |
℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-55~+150 |
℃ |
Características eléctricas (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro |
Símbolo |
Condición de prueba |
Minuto |
Tipo |
Máximo |
Unidades |
| De características |
| voltaje de avería de la Dren-fuente |
V (BR) DSS |
VGS = 0V, IDENTIFICACIÓN =250µA |
30 |
|
|
V |
| Corriente cero del dren del voltaje de la puerta |
IDSS |
VDS =24V, VGS = 0V |
|
|
1 |
µA |
| corriente de la salida de la Puerta-fuente |
IGSS |
VGS =±12V, VDS = 0V |
|
|
±100 |
nA |
| En características |
| en-resistencia de la Dren-fuente (nota 3) |
RDS (encendido) |
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =5.8A |
|
|
35 |
mΩ |
| VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =5A |
|
|
40 |
mΩ |
| Tranconductance delantero |
gFS |
VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =5A |
8 |
|
|
S |
| Voltaje del umbral de la puerta |
VGS (th) |
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250ΜA |
0,7 |
|
1,4 |
V |
| Características dinámicas (nota 4,5) |
| Capacitancia entrada |
CISS |
VDS =15V, VGS =0V, f =1MHz |
|
|
1050 |
PF |
| Capacitancia de salida |
Coss |
|
99 |
|
PF |
| Capacitancia reversa de la transferencia |
Crss |
|
77 |
|
PF |
| Resistencia de la puerta |
Rg |
VDS =0V, VGS =0V, f =1MHz |
|
|
3,6 |
Ω |
| Características que cambian (nota 4,5) |
| Tiempo de retraso de abertura |
TD (encendido) |
VGS =10V, VDS =15V, RL =2.7Ω, RGEN =3Ω |
|
|
5 |
ns |
| Tiempo de subida de abertura |
tr |
|
|
7 |
ns |
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado |
TD (apagado) |
|
|
40 |
ns |
| Tiempo de caída de la vuelta-apagado |
tf |
|
|
6 |
ns |
| características de diodo de la Dren-fuente y grados máximos |
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) |
VSD |
ES =1A, VGS =0V |
|
|
1 |
V |
Nota:
1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficial montado en FR4 el tablero, T3 < 5="" sec="">
. Prueba del pulso: Pulso Width≤300µs, ≤ el 2% del ciclo de trabajo.
4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
