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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin

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diodo de rectificador planar epitaxial de silicio de 30V 200mA B520S-30

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 [57]

Diodo de rectificador de fines generales

 [36]

Diodo de rectificador de la barrera de Schottky

 [46]

Diodo Zener

 [19]

Transistor de SMD

 [9]

Puente rectificador del silicio

 [12]

Diodo que cambia de alta velocidad

 [7]

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV

 [8]

Diodo bajo de VF Schottky

 [1]

Diodo del supresor del ESD

 [1]

Mosfet de la baja tensión

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Mosfet de alto voltaje

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Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China diodo de rectificador planar epitaxial de silicio de 30V 200mA B520S-30 wholesale
  • China diodo de rectificador planar epitaxial de silicio de 30V 200mA B520S-30 wholesale

diodo de rectificador planar epitaxial de silicio de 30V 200mA B520S-30
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Número de modelo :RB520S-30 SOD-523
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000 PC
Condiciones de pago :T/T, Paypal, efectivo
Capacidad de la fuente :1 mil millones pedazos del mes
Plazo de expedición :2-4 semanas
Detalles de empaquetado :3000pcs/reel/box
Tipo :diodo de barrera de 30V Schottky
Paquete :SOD-523
Tipo del paquete :diodo superficial del soporte
Tiempo de la muestra :5-7 días
Max. Forward Current :200mA
Voltaje reverso máximo :30v
IFSM :1A
VF :0.6V
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Diodo de barrera planar epitaxial de Schottky del silicio RB520S-30

 

Estos diodos de barrera de Schottky se diseñan para los usos, la protección de circuito, y la fijación con abrazadera high−speed del voltaje que cambian. Extremadamente - el voltaje delantero bajo reduce pérdida de la conducción. El paquete superficial miniatura del soporte es excelente para el hand−held y los usos portátiles donde está limitado el espacio.

 

Para la rectificación de poca intensidad y los usos que cambian de alta velocidad.

 

RB520S-30 SOD523 Datasheet.pdf

 

 

Características:
 

 

  • Velocidad que cambia extremadamente rápida
  • Tipo extremadamente pequeño del montaje superficial
  • Alta confiabilidad
  • Corriente reversa baja
  • Código de marcado: “B”
 

 

 

Grados máximos y características eléctricas:

 

 

Grados en la temperatura ambiente 25°C salvo especificación de lo contrario.

 

 

 

Parámetro

 

 

Símbolo

 

Valor

 

Unidades

 

Voltaje reverso

 

 

VR

 

30

 

V

 

Corriente de rectificación mala

 

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)

 

 

200

 

mA

 

Sobretensión delantera máxima

 

IFSM

 

 

1

 

 

Temperatura de empalme

 

TJ

 

 

125

 

℃

 

Voltaje delantero en SI = 200 mA

 

VF

 

 

0,6

 

V

 

          

 

Nota: La manipulación de productos sensible del ESD requirió.

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

p600 diode

1n4001 rectifier diode

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Carro de la investigación 0

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