Estos dispositivos son Pb−Free y son RoHS obediente, paquete del soporte de la superficie de Ultra−Small, salida baja de la entrada-salida, velocidad que cambia rápida, eficacia de sistema mejorada.

MMBT7002W SOT-323 Datasheet.pdf

CARACTERÍSTICAS

1. Diseño de alta densidad de la célula para el RDS bajo (ENCENDIDO)
2. interruptor controlado de la señal del voltaje pequeño
3. rugoso y confiable
4. alta capacidad de la corriente de saturación

5. paquete superficial del soporte de la pequeña huella

USOS

interruptor 1.Load para los dispositivos portátiles
Convertidor de 2.DC/DC

interruptor lateral de la carga 3.Low

Grados máximos (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje de la Dren-fuente	VDS	60	V
Voltaje de la Puerta-fuente	VGS	20	V
Corriente continua del dren	Identificación	0,115
Temperatura de empalme	TJ	150	℃
Temperatura de almacenamiento	TSTG	-50~150	℃
Disipación de poder máxima	Paladio	0,2	W

MOSFET SC-70 SOT-323 de la señal del canal N de MMBT7002W 60V 115mA

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo de rectificador de fines generales

Diodo de rectificador de la barrera de Schottky

Diodo Zener

Transistor de SMD

Puente rectificador del silicio

Diodo que cambia de alta velocidad

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV

Diodo bajo de VF Schottky

Diodo del supresor del ESD

Mosfet de la baja tensión

Mosfet de alto voltaje

MOSFET SC-70 SOT-323 de la señal del canal N de MMBT7002W 60V 115mA

channel igbt toshiba semiconductor

p-channel mosfet sot-23

n channel mosfet