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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin

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MMDT3946DW SE DOBLAN el transistor SOT-363 de NPN y de PNP para la amplificación de la energía baja

Categorías de Producto

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [57]

Diodo de rectificador de fines generales

 [36]

Diodo de rectificador de la barrera de Schottky

 [46]

Diodo Zener

 [19]

Transistor de SMD

 [9]

Puente rectificador del silicio

 [12]

Diodo que cambia de alta velocidad

 [7]

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV

 [8]

Diodo bajo de VF Schottky

 [1]

Diodo del supresor del ESD

 [1]

Mosfet de la baja tensión

 [6]

Mosfet de alto voltaje

 [1]
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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MsMarissa Wang
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China MMDT3946DW SE DOBLAN el transistor SOT-363 de NPN y de PNP para la amplificación de la energía baja wholesale
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MMDT3946DW SE DOBLAN el transistor SOT-363 de NPN y de PNP para la amplificación de la energía baja
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Número de modelo :MMDT3946DW SOT-363
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000pcs
Condiciones de pago :T/T, Paypal, efectivo
Plazo de expedición :2-4 semanas
Capacidad de la fuente :1 mil millones pedazos del mes
Detalles de empaquetado :carrete 3000pcs/
Tipo :Transistor dual
Materiales :transistor del silicio
Paquete :Transistor de SMD
MPQ :3000pcs
MOQ :3000pcs
Tiempo de muestra :5-7days
El plazo de ejecución :2-4 semanas
Situación sin plomo :RoHS obediente
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TRANSISTOR DUAL DE MMDT3946DW (NPN+PNP) SOT-363
MMDT3946DW BORRACHÍN 363 del transistor DUAL de NPN y de PNP para la amplificación de la energía baja
 
 
CARACTERÍSTICAS
 
 
  • Pares complementarios
  • Un 3904-Type NPN
  • Un 3906-Type PNP
  • Planares epitaxiales mueren construcción
  • Ideal para la amplificación y la transferencia de la energía baja

 

 
 
 
GRADOS MÁXIMOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
Parámetro Símbolo

 

Valor

 

 Unidades
Voltaje de la Colector-base VCBO

 

60

 

 V
Voltaje del Colector-emisor VCEO

 

40

 

 V
Voltaje de la Emisor-base VEBO

 

5

 

 V
Corriente de colector - continua IC

 

200

 

 mA
Disipación del colector PC

 

200

 

 mW
Temperatura de empalme Tj

 

150

 

 ℃

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

npn transistor as amplifier

npn transistor amplifier

pnp transistor amplifier
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