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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin

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Transistor planar epitaxial del silicio del transistor PNP de S8550 SOT-89 0.5A SMD

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Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [57]

Diodo de rectificador de fines generales

 [36]

Diodo de rectificador de la barrera de Schottky

 [46]

Diodo Zener

 [19]

Transistor de SMD

 [9]

Puente rectificador del silicio

 [12]

Diodo que cambia de alta velocidad

 [7]

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV

 [8]

Diodo bajo de VF Schottky

 [1]

Diodo del supresor del ESD

 [1]

Mosfet de la baja tensión

 [6]

Mosfet de alto voltaje

 [1]
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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MsMarissa Wang
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China Transistor planar epitaxial del silicio del transistor PNP de S8550 SOT-89 0.5A SMD wholesale
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Transistor planar epitaxial del silicio del transistor PNP de S8550 SOT-89 0.5A SMD
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Número de modelo :S8550 SOT-89
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000pcs
Condiciones de pago :T/T, Paypal, efectivo
Plazo de expedición :2-4 semanas
Capacidad de la fuente :1 mil millones pedazos del mes
Detalles de empaquetado :1000pcs/carrete
Tipo :Transistor S8550
Material :Transistor del silicio
Paquete :Transistor montado superficial SOT-89
MOQ :3000pcs
Muestra :libre
Tiempo de la muestra :5-7days
Plazo de ejecución :2-4weeks
Situación sin plomo :RoHS obediente
Especificaciones :0.5A
Características :Transistor planar epitaxial del silicio de PNP
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Transistor planar epitaxial del silicio de S8550 SOT-89 0.5A PNP
 
Transistor planar epitaxial del silicio del transistor PNP de S8550 SOT-89 0.5A SMD
 
S8550 SOT-89 Datasheet.pdf
 
 
CARACTERÍSTICAS
 
 
  • Para los usos de la transferencia y del amplificador.
  • Especialmente conveniente para las etapas del AF-conductor y las etapas de la salida de energía baja.
 
 
 
GRADOS MÁXIMOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
Parámetro

 

Símbolo

 

 Valor Unidades
Voltaje de la Colector-base

 

VCBO

 

 -40 V
Voltaje del Colector-emisor

 

VCEO

 

 -25 V
Voltaje de la Emisor-base

 

VEBO

 

 6 V
Corriente de colector - continua

 

IC

 

 -1,5
Disipación del colector

 

PC

 

 625 mW
Temperatura de empalme

 

Tj

 

 150 ℃

 

 

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