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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin

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Conductancia de alta velocidad del diodo de transferencia de BAS21 SOT-23 alta para la inserción automática

Categorías de Producto

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [57]

Diodo de rectificador de fines generales

 [36]

Diodo de rectificador de la barrera de Schottky

 [46]

Diodo Zener

 [19]

Transistor de SMD

 [9]

Puente rectificador del silicio

 [12]

Diodo que cambia de alta velocidad

 [7]

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV

 [8]

Diodo bajo de VF Schottky

 [1]

Diodo del supresor del ESD

 [1]

Mosfet de la baja tensión

 [6]

Mosfet de alto voltaje

 [1]
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Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Conductancia de alta velocidad del diodo de transferencia de BAS21 SOT-23 alta para la inserción automática wholesale
  • China Conductancia de alta velocidad del diodo de transferencia de BAS21 SOT-23 alta para la inserción automática wholesale

Conductancia de alta velocidad del diodo de transferencia de BAS21 SOT-23 alta para la inserción automática
Preguntar último precio
Número de modelo :BAS21 SOT-23
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000pcs
Condiciones de pago :T/T, Paypal, efectivo
Plazo de expedición :2-4 semanas
Detalles de empaquetado :carrete 3000pcs/
Capacidad de la fuente :1 mil millones pedazos del mes
Tipo :Diodo de transferencia de alta velocidad
Material :Diodo de silicio
Paquete :BAS21 SOT-23
Tipo del paquete :diodo superficial del soporte
MPQ :3000pcs
Tiempo de la muestra :5-7days
Plazo de ejecución :3-4Weeks
Muestra :libre
Características :Pequeño paquete, velocidad que cambia rápida
Especificaciones :250V 200mA
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Diodo de transferencia de alta velocidad de BAS21 SOT-23

Conductancia de alta velocidad del diodo de transferencia de BAS21 SOT-23 alta para la inserción automática
 
BAS21/BAS21A/BAS21C/BAS21S
 
Código de la marca BAS21:  JS
Código de la marca de BAS21A: JS2
Código de la marca de BAS21C: JS3
Código de la marca de BAS21S: JS4
 
 
 
BAS21 SOT-23 Datasheet.pdf
 
 
Características de la especificación:

 

 

  • Velocidad que cambia rápida
  • Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática
  • Para los usos que cambian de fines generales
  • Alta conductancia

 

 

Grados máximos absolutos y características en (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

 

 

 

Parámetro Símbolo Valor

 

Unidades

 
Voltaje reverso máximo VRM 250

 

V

 
Voltaje reverso VR 250

 

V

 
Voltaje reverso máximo de trabajo VRWM 250

 

V

 
Currenet continuo delantero IFM 400

 

mA

 
Corriente de salida rectificada media IO 200

 

mA

 
Corriente delantera máxima repetidor IFRM 625

 

mA

 
Sobretensión delantera máxima sin repetición en t=1us IFSM 2,5

 

 
Disipación de poder Paladio 225

 

mW

 
Temperatura de empalme TJ 150

 

℃

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

scr diode module

lep diode

rectifier diode datasheet
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