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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin

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Planar epitaxial de transferencia del soporte de la superficie de SMD del silicio de alto voltaje del diodo

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Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [57]

Diodo de rectificador de fines generales

 [36]

Diodo de rectificador de la barrera de Schottky

 [46]

Diodo Zener

 [19]

Transistor de SMD

 [9]

Puente rectificador del silicio

 [12]

Diodo que cambia de alta velocidad

 [7]

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV

 [8]

Diodo bajo de VF Schottky

 [1]

Diodo del supresor del ESD

 [1]

Mosfet de la baja tensión

 [6]

Mosfet de alto voltaje

 [1]
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Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Planar epitaxial de transferencia del soporte de la superficie de SMD del silicio de alto voltaje del diodo wholesale
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Planar epitaxial de transferencia del soporte de la superficie de SMD del silicio de alto voltaje del diodo
Preguntar último precio
Número de modelo :BAV19WS SOD-323
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000
Condiciones de pago :T/T, Paypal, efectivo
Plazo de expedición :2-4 semanas
Detalles de empaquetado :carrete 3000pcs/en general
Capacidad de la fuente :1 mil millones pedazos del mes
Tipo :Diodo de transferencia BAV19WS
Material :Silicio
Paquete :SOD-323 tipo diodo
Tipo del paquete :Diodo de transferencia de SMD
MPQ :3000pcs
Tiempo de la muestra :5-7days
Plazo de ejecución :3-4Weeks
Usos :Para los usos de fines generales de la transferencia
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Diodo de transferencia de alto voltaje de los diodos planares epitaxiales del silicio

 

Planar epitaxial del soporte de SMD de transferencia del silicio de alto voltaje superficial del diodo

Diodo de transferencia rápido de BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS

 
 
 
BAV19WS~BAV21WS SOD-323 Datasheet.pdf
 
 
Características de la especificación:

 

 

  • Velocidad que cambia rápida
  • Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática
  • Para los usos que cambian de fines generales
    •  

 

 

 

 

Grados máximos absolutos y características en (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

 

 

 

Parámetro Símbolo Valor

 

Unidades

 
Voltaje reverso máximo repetidor VRRM 120

 

V

 
Voltaje reverso VR 100

 

V

 
Currenet continuo delantero IFM 400

 

mA

 
Sobretensión delantera máxima sin repetición en t=1us IFSM 2,5
Disipación de poder Paladio 200

 

mW

 

 

 

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

surface mount zener diode

surface mount diode

surface mount resistor sizes
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