Parámetro	Símbolo	Valor	Unidades
Voltaje reverso máximo	VRM	100	V
Voltaje reverso	VR	75	V
Currenet continuo delantero	IFM	250	mA
Sobretensión delantera máxima sin repetición en t=1us	IFSM	2
Disipación de poder	Paladio	200	mW
Temperatura de empalme	TJ	150	℃

Ofrecemos toda clase de componentes electrónicos:

Diodos

Diodo de rectificador del propósito, diodo de barrera de Schottky, diodo de las TV, diodo rápido de la recuperación, diodo de transferencia, diodo Zener…

Transistores

Puentes rectificadores

MOSFET

1. Podemos enviando por todo el mundo por el mar, por el aire DHL, UPS, Fedex, ePacket del ccsme según requisitos de cliente.
2. Enviaremos los artículos dentro 1-2 días laborables después de que el pago confirmó.

BAS16WS SOD323 ayunan diodo de transferencia planar epitaxial del silicio del diodo de transferencia

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo de rectificador de fines generales

Diodo de rectificador de la barrera de Schottky

Diodo Zener

Transistor de SMD

Puente rectificador del silicio

Diodo que cambia de alta velocidad

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV

Diodo bajo de VF Schottky

Diodo del supresor del ESD

Mosfet de la baja tensión

Mosfet de alto voltaje

BAS16WS SOD323 ayunan diodo de transferencia planar epitaxial del silicio del diodo de transferencia

silicon diode 1n4001

igbt diode

igbt with diode