Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin

Great Wisdom Huixin Innovations Unlimited

Manufacturer from China
Miembro activo
7 Años
Casa / Productos / Schottky Barrier Rectifier Diode /

Diodo de barrera de Schottky del soporte de la superficie del diodo de SS56F SMAF 60V 5A Schottky

Contacta
Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MsMarissa Wang
Contacta

Diodo de barrera de Schottky del soporte de la superficie del diodo de SS56F SMAF 60V 5A Schottky

Preguntar último precio
Número de modelo :SS56F
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000
Condiciones de pago :T/T, Paypal, efectivo
Plazo de expedición :2-4 semanas
Detalles de empaquetado :3000pcs
Capacidad de la fuente :1 mil millones pedazos del mes
Tipo :Diodo de barrera de Schottky
Material :Silicio
Paquete :SMAF
Tipo del paquete :SMD
MPQ :3000pcs
MOQ :3000pcs
Tiempo de la muestra :5-7days
Muestras :libre
Plazo de ejecución :2-4weeks
Situación sin plomo :RoHS
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

 

Diodo de rectificadores de la barrera de SS56F SMAF 5A 60V Schottky

Diodo de barrera superficial de Schottky del soporte del diodo de SS56F SMAF 60V 5A Schottky

 

SS52F~SS520F SMAF Datasheet.pdf

 

 

Características
 

 

 

  • El paquete plástico lleva el laboratorio de los suscriptores
  • Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad
  • Para los usos montados superficiales
  • Alivio de tensión incorporado, ideal para la colocación automatizada
  • Salida reversa baja
  • Alta capacidad delantera de la sobretensión
  • El soldar de alta temperatura garantizado
 

 

Datos mecánicos

 

  • Caso: Cuerpo plástico moldeado
  • Terminales: La soldadura plateó, solderable por MIL-STD-750, método 2026
  • Polaridad: Símbolo de la polaridad que marca en cuerpo
  • Posición de montaje: Ningunos
  • Peso: 0,0014 onzas, 0,038 gramos

 

Grados máximos y características eléctricas

 

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
 
 
 

 

Parámetro

 

SÍMBOLOS SS52F SS54F SS56F SS58F SS510F SS515F SS520F UNIDADES

 

Voltaje reverso del pico repetidor máximo

 

VRRM 20 40 60 80 100 150 200 Voltios

 

Voltaje máximo del RMS

 

VRMS 14 28 42 56 70 105 140 Voltios

 

Voltaje de bloqueo máximo de DC

 

VDC 20 40 60 80 100 150 200 Voltios

 

Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C

 

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) 5 Amperios

 

Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificada

 

IFSM 120 Amperios

 

Voltaje delantero instantáneo máximo en 5A

 

VF 0,55 0,7 0,85 0,95 Voltios

 

Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC

 

TA=25°C IR 0,5 0,05 mA
TA=125°C 50 10

 

 

 

 

 

Carro de la investigación 0