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Paquete bajo de la fuente de alimentación del diodo de Schottky de la barrera del silicio SS110 SMAF
SS12F~SS120F SMAF Datasheet.pdf
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
Parámetro
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SÍMBOLOS | SS12 | SS14 | SS16 | SS18 | SS110 | SS115 | SS120 | UNIDADES | |
Voltaje reverso del pico repetidor máximo
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VRRM | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | Voltios | |
Voltaje máximo del RMS
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VRMS | 14 | 28 | 42 | 56 | 70 | 105 | 140 | Voltios | |
Voltaje de bloqueo máximo de DC
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VDC | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | Voltios | |
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C
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SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1 | Amperios | |||||||
Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificada
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IFSM | 30 | Amperios | |||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A
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VF | 0,55 | 0,7 | 0,85 | 0,95 | Voltios | ||||
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC
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TA=25°C | IR | 0,5 | 0,05 | mA | |||||
TA=125°C | 50 | 10 |