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Transferencia ultrarrápida de SMD para el diodo 1.0Amp 1000Volts SOD-123FL de la eficacia alta
Diodo de transferencia ultrarrápido del silicio del diodo de rectificador de la recuperación de SMD SOD-123FL
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
Parámetro | SÍMBOLOS |
F1
| F2 | F3 | F4 | F5 | F6 | F7 | UNIDADES | |
Voltaje reverso del pico repetidor máximo | VRRM |
50
| 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Voltaje máximo del RMS | VRMS |
35
| 140 | 210 | 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios | |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC |
50
| 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) |
1
| Amperios | |||||||
Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificada | IFSM |
35
| Amperios | |||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 1A | VF |
1,3
| Voltios | |||||||
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC | TA=25°C | IR |
5
| μA | ||||||
TA=125°C |
500
| |||||||||
Tiempo de recuperación reversa máximo | Trr |
150
| 250 | 500 | ns | |||||
Capacitancia de empalme típica | CJ |
9
| PF |
Nota: condición de la recuperación 1.Reverse SI =0.5A, IR =1.0A, Irr=0.25A
2.Measured en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V