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tipo axial de fines generales del paquete del diodo de rectificador del silicio 1N4007 de 1A 1000V
1N4001-1N4007 DO-41 Datasheet.pdf
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
Parámetro | SÍMBOLOS | 1N4001 | 1N4002 |
1N4003
| 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | UNIDADES | |
Voltaje reverso del pico repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 |
140
| 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios | |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 |
200
| 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) |
1
| Amperios | |||||||
Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificada | IFSM | 30 | Amperios | |||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 1A | VF |
1,1
| Voltios | |||||||
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC | TA=25°C | IR |
10
| UA | ||||||
TA=125°C |
500
|
Diodo de rectificador de fines generales
Diodo de rectificador rápido de la recuperación
Diodo de rectificador de la barrera de Schottky
Diodo bajo de VF Schottky
Diodo transitorio de los supresores del voltaje de las TV
Diodo que cambia de alta velocidad
Diodo Zener del silicio
Puente rectificador del silicio
Diodo del supresor del ESD
Transistor
Mosfet de la baja tensión