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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / GaN Epitaxial Wafer / 2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m /

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Categorías de Producto

GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m
2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m
  • 2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m
Productos detallados
± libre de 2 pulgadas del μm 50,8 del ± 25 de los substratos 350 de U-GaN/SI-GaN 1 milímetro n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre ...
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Etiquetas de productos:
¿Qué es eso? gan semiconductor con un contenido de aluminio igual o superior a 10 W

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