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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Aluminum Nitride Wafer / solo cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4m m 1inch AlN /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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solo cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4m m 1inch AlN
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  • solo cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4m m 1inch AlN
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grado del solo cristal los 400±50μM S/P/R de 25.4±0.5m m 1inch AlN {0001} ±0.5° Solo los 400±50μm S/P/R grado cristalino de JDCD02-001-002 1inch AlN ...
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hpht diamante cristalino único Anillos cerámicos de 38 46 t gota cristalina austríaca

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