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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Aluminum Nitride Wafer / Plano C AIN en oblea de zafiro pulido de lado simple o doble /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Plano C AIN en oblea de zafiro pulido de lado simple o doble
Plano C AIN en oblea de zafiro pulido de lado simple o doble
  • Plano C AIN en oblea de zafiro pulido de lado simple o doble
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Plano C (0001)±1oAIN en zafiro Wafer Sapphire (pulido de un lado o de dos lados) Película gruesa de 2 pulgadas (1,2)Um AIN en oblea de zafiro SSP XRD ...
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ra 0 8 acabado de la superficie oblea del zafiro

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