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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Aluminum Nitride Wafer / 1um al lado simple o doble del substrato del nitruro de aluminio 5um pulió /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

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Sustratos de diamante CVD

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Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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1um al lado simple o doble del substrato del nitruro de aluminio 5um pulió
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AIN de 1~5 μm en oblea de zafiro Zafiro de una o dos caras pulidas Película gruesa de 2 pulgadas (1,2)Um AIN en oblea de zafiro SSP XRD FWHM Of(002)...
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Acero y acero refinado de aluminio niquelado Substrato de alumina pulido

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